Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники, Институт физики полупроводников им. академика А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск (проспект Академика Лаврентьева, 2/1) ― UrbanPlaces.su

Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники, Институт физики полупроводников им. академика А.В. Ржанова СО РАН

Новосибирский филиал
Отзывов нет, будьте первым!
Написать отзыв

Контакты

Городские телефоны
Мобильные телефоны
Не указаны
Официальный сайт
Соцсети
Варианты оплаты
  • Оплата через банк

Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники, Институт физики полупроводников им. академика А.В. Ржанова СО РАН находится по адресу проспект Академика Лаврентьева, 2/1, Новосибирск. Работает по 2 видам деятельности.

Местоположение

Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники, Институт физики полупроводников им. академика А.В. Ржанова СО РАН
Кликните для перехода в интерактивный режим
Населенный пункт

Новосибирск (Новосибирская область, Россия)

Район / Микрорайон

Советский район

Адрес

630090, проспект Академика Лаврентьева, 2/1

GPS координаты для навигатора: 54.854393, 83.098059

График работы

Понедельник08:00-17:00
Вторник08:00-17:00
Среда08:00-17:00
Четверг08:00-17:00
Пятница08:00-17:00
СубботаВыходной
ВоскресеньеВыходной

Рекомендуем уточнять актуальное время работы по указанным телефонам.

Услуги и Особенности

Услуги не указаны, но вы можете их уточнить по контактам

Отзывы

Пока нет отзывов. Станьте первым, кто поделится своим мнением!

Оставить отзыв
Ваш email не публикуется
0/50 символов
До 5 фото (макс. 6 Мб каждое)